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HL: Halbleiterphysik

HL 57: Poster IIa

HL 57.1: Poster

Tuesday, March 8, 2005, 16:30–19:00, Poster TU E

Modellierung des elektrischen Verhaltens organischer Feldeffekt-Transistoren — •Christoph Pannemann, Thomas Diekmann und Ulrich Hilleringmann — Universität Paderborn, Fakultät EIM-E, Sensorik, Warburger Str. 100, D-33098 Paderborn

Organische Feldeffekt-Transistoren (OFET) wurden durch thermisches Verdampfen des Halbleitermaterials Pentacen auf 100mm Silizium Substraten hergestellt. Durch kontinuierliche Kontrolle und Justage der Präparations-Bedingungen konnte eine deutliche Steigerung der Homogenität der elektrischen Parameter, wie z.B. der Schwellenspannung und des on-Stroms, erzielt werden. Die statistische Auswertung ergab eine gute Reproduzierbarkeit der Ergebnisse über die gesamte Waferoberfläche. Anschließend wurde die Übertragbarkeit der üblicherweise zur Beschreibung von OFETs herangezogenen MOS-Gleichungen modelliert und ergab eine gute Übereinstimmung mit den gemessenen Daten. Lediglich bei erhöhten Kontaktwiderständen zeigten sich im Anlaufbereich der Ausgangskennlinie größere Abweichungen.