Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 64: Photovoltaik II

HL 64.7: Vortrag

Mittwoch, 9. März 2005, 12:15–12:30, TU P-N202

Strukturelle, Optische und Elektronische Eigenschaften von reaktiv-gesputteren CuInS₂ Dünnschichten und Solarzellen — •T. Unold, T. Enzenhofer und K. Ellmer — Hahn-Meitner Institut, Berlin

Wir untersuchen CuInS₂ Dünnschichten die direkt in einem Schritt durch reaktives Sputtern von Cu und In in H₂S/Ar Athmosphäre hergestellt werden. Um den Vergleich mit sonst üblichen sequentiellen und Koverdampfungsprozessen zu ermöglichen wurden auch Solarzellen im HMI Standardprozess hergestellt. REM Messungen zeigen dass mit unserer Methode ein kolumnares Wachstum möglich ist, mit Korndurchmessern im Mikrometerbereich. Raman Messungen zeigen dass für Substrattemperaturen T_s unterhalb 450C eine Cu−Au Fehlordnung existiert, während diese für T_s > 450C nicht nachweisbar ist, selbst bei Indium-arm gewachsenen Schichten. In der Tat ist es uns gelungen Zellen aus In-arm gewachsenen Absorberschichten mit nahe 6% Wirkungsgrad herzustellen, verglichen mit 8% für unsere besten Cu-reich gewachsenen Schichten. PL Messungen lassen auf eine sehr ähnliche Defektstruktur wie bei sequentiell oder durch Koverdampfung hergestellten Schichen schliessen. Dies bedeutet dass der Ionenbeschuss während des Sputterprozesses nicht zu einer stark veränderten Defektstruktur führt.