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Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 64: Photovoltaik II

HL 64.9: Vortrag

Mittwoch, 9. März 2005, 12:45–13:00, TU P-N202

Bestimmung der Gitterkonstanten epitaktischer CuIn1−xGaxS2 Filme auf Si(111) mittels Synchrotronstrahlung — •Janko Cieslak1, Jürgen Kräußlich2, Thomas Hahn1, Frank Wunderlich2, Heiner Metzner1, Jens Eberhardt1, Udo Reislöhner1, Mario Gossla1 und Wolfgang Witthuhn11Institut für Festköperphysik, Friedrich Schiller Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Institut für Optik und Quantenelektronik, Friedrich Schiller Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Es wurden epitaktische CuIn1−xGaxS2 Filme unterschiedlicher Ga-Anteile x mittels Molekularstrahlepitaxie auf Si(111) Substraten abgeschieden. Aufgrund der bzgl. Si kleineren Gitterkonstante a von CuGaS2 und größeren Gitterkonstante von CuInS2 ist eine perfekte Gitteranpassung für das quaternäre System CuIn1−xGaxS2 zu erwarten. An der Europäischen Synchrotron Strahlungsquelle in Grenoble konnten die Gitterkonstanten der epitaktischen Filme mittels Röntgenbeugung präzise bestimmt werden. Der Ga-Anteil x, bei denen Gitteranpassung eintritt wurden ermittelt und hat aufgrund des tetragonalen Kristallsystems für die Gitterkonstanten a und c unterschiedliche Werte. Abweichungen der Gitterkonstanten zu Literaturwerten von Einkristallen sowie der Einfluß metastabiler Ordnungstypen werden diskutiert.

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