Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 39: Nanostrukturen IV
O 39.8: Vortrag
Dienstag, 8. März 2005, 12:30–12:45, TU EB420
Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie an stickstoffhaltigen InAs/GaAs-Heterostrukturen — •M. Müller1, A. Lenz1, L. Ivanova1, R. Timm1, H. Eisele1, M. Dähne1, O. Schumann2, L. Geelhaar2 und H. Riechert2 — 1Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, PN4-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Infineon Technologies, Corporate Research Photonics, 81730 München
Die Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen ist eine geeignete Methode zur Untersuchung vergrabener Heterostrukturen, ihrer Struktur und chemischen Komposition[1]. Untersucht wurden mittels Molekularstrahlepitaxie gewachsene, vergrabene InAs/GaAs Quantenpunkt-Dopplestapel, die unter verschiedenen Wachstumsparametern, insbesondere Stickstoffbeimengungen in der Quantenpunktschicht und der Zwischenschicht hergestellt wurden.
Beobachtet wurde eine zunehmende Veränderung der Quantenpunktform und eine teilweise Auflösung der Benetzungsschicht. Ferner wurden Oberflächendefekte beobachtet, die beim Spalten des Kristalls aufgrund von Verspannungen durch den Stickstoffeinbau entstehen[2]; ebenso konnte der Einbau von Stickstoff in das GaAs-Substrat auf atomarer Ebene untersucht werden.
[1] A. Lenz, R. Timm, H. Eisele, M. Dähne et al.,
Appl. Phys. Lett. 81, 5150 (2002)
[2] H. A. McKay, R. M. Feenstra, J.Vac.Sci.Technol. B 19, 1644 (2001)