Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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Q: Quantenoptik und Photonik

Q 28: Poster Festkörper- und Halbleiterlaser

Q 28.11: Poster

Montag, 7. März 2005, 11:00–12:30, Poster HU

Optische Eigenschaften laserablatierter ZnO Nanodrähte und dünner Filme — •Sandra Börner¹, Michael Esselborn¹, Andreas Pohlkötter¹, Ashwini K. Sharma², Raj K. Thareja² und Wolfgang Schade¹ — ¹Insitut für Physik und Physikalische Technologien, TU Clausthal — ²Indian Institute of Technology, Kanpur, Indien

Zinkoxid ist ein vielversprechendes Material für photonische Anwendungen. Als direkter II-VI Halbleiter mit einer Bandkantenenergie von E = 3.4 eV und intensiver Lumineszenz im ultravioletten Spektralbereich ist dieses Material besonders interessant für die Entwicklung von LEDs und Laserdioden. In dünnen Filmen und Nanodrähten werden aber auch Random Lasertätigkeit und neuerdings DFB Lasertätigkeit diskutiert. Dünne ZnO Filme werden in Sauerstoff Atmosphäre bei Drücken zwischen 10⁻¹ und 10⁻² mbar und Substrattemperaturen um 400 ^∘C durch gepulste Laserablation hergestellt. Diese Methode wird erstmals auch für die Herstellung von Nanodrähten vorgestellt. Eine Verschiebung der Bandkantenenergie wird durch Dotierung der Filme und Drähte mit Mg und Al erreicht, die Bandkante liegt dann bei 3,58 bzw. 3,51 eV. Die hergestellten Filme und Nanodrähte werden hinsichtlich ihrer Eigenschaften als laseraktives Material untersucht und diskutiert.