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SYFS: Nichtflüchtige Festkörperspeicher

SYFS 4: Poster

SYFS 4.3: Poster

Saturday, March 5, 2005, 08:30–16:30, Poster TU C

Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften von Chalkogeniden als Datenspeicher — •Hajo Noerenberg, Ralf Detemple und Matthias Wuttig — I. Physikalisches Institut IA, RWTH Aachen

Zur Zeit werden mehrere alternative Verfahren zur nicht-flüchtigen und schnellen elektronischen Speicherung diskutiert. Eine der erfolgversprechendsten Methoden basiert auf der Technologie der Phase-Change-Materialien (PCRAM). Hierbei wird ausgenutzt, dass diese Materialien je nach Phasenzustand einen deutlichen Unterschied der Leitfähigkeit vorweisen. Das Umschalten der Phasen wird durch Strompulse geeigneter Stärke und Dauer angeregt, welche die Probe lokal aufheizen. In Abhängigkeit von der erreichten Temperatur und der Abkühlrate wechselt das Material in den kristallinen oder amorphen Zustand, in welchem es nach Ende des Pulses verbleibt (non-volatile memory).

Es wird die Strukturierung und Kontaktierung einer Speichereinheit (Bit) auf einer durch Magnetronsputtern hergestellen Probe vorgestellt. Für verschiedene ternäre und quaternäre Tellurverbindungen wurde die Kinetik der Phasenumschaltung untersucht.