Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 603: Halbleiterdetektoren III

T 603.6: Vortrag

Dienstag, 8. März 2005, 17:45–18:00, TU H112

Untersuchungen zur Ladungssammlung in verschiedenen Halbleitermaterialien mittels der "Transient Current Technique" — •Johannes Fink — Universität Bonn

Bei CdTe und CdZnTe (CZT) handelt es sich aufgrund ihrer hohen Ordnungszahlen um viel versprechende Sensormaterialien, die beispielsweise für den Nachweis von Röngtenstrahlung eingesetzt werden können. Für das Verständnis dieser Halbleitermaterialien ist die Charakterisierung der Ladungsträgerbewegung im Kristall von entscheidender Bedeutung. Zu diesem Zweck wurde das "Transient Current Technique (TCT)" Verfahren eingesetzt, bei dem ein durch Energiedeposition (5,5 MeV Alphateilchen aus 241Am) erzeugter Strompuls mittels eines breitbandigen Verstärkeraufbaus zeitlich aufgenommen wird. Aus der Analyse der Pulsform wurden die Ladungsträgermobilität, die Ladungssammlungseffizienz und der Verlauf des elektrischen Feldes im Detektor berechnet. Bei den untersuchten Detektortypen handelt es sich um ohmsche CdTe- bzw. CZT-Kristalle, sowie um CdTe-Sensoren mit Schottky-Kontakten.