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T: Teilchenphysik

T 705: Tracking II

T 705.4: Vortrag

Freitag, 31. März 2006, 15:20–15:35, C2-02-176

Strahlungsinduzierte Defekte in epitaktischen Siliziumdetektoren — •Frank Hönniger¹, Eckhart Fretwurst¹, Gunnar Lindström¹, Gregor Kramberger², Michael Moll³ und Ioana Pintilie⁴ — ¹Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — ²Jozef Stefan Institut, University of Ljubljana — ³CERN — ⁴National Institute for Materials Physics, Bucharest

Epitaktische Siliziumdetektoren verschiedener Schichtdicken (25, 50 und 75 µm)wurden mit 23 GeV Protonen bestrahlt und hinsichtlich der erzeugten Defekte mittels DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) und TSC (Thermally Stimulated Current) Messungen untersucht. Die Ergebnisse werden mit den makroskopischen Detektorparametern, die aus Untersuchungen der Kapazitäts/Spannungs- und Strom/Spannungs-Kennlinien gewonnen wurden, verglichen. Zusätzlich wurden die Ladungssammlungseigenschaften mittels TCT (Transient Current Technique) Messungen unter Verwendung von α- und β-Teilchen untersucht.