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Dresden 2006 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: Poster I

HL 9.16: Poster

Monday, March 27, 2006, 15:15–17:45, P3

MOVPE-Wachstum von GaN Nadeln — •Matthias Shirnow1, Volker Gottschalch1, Gerald Wagner2, Jens Bauer1, Hendrik Paetzelt1, and Jörg Lenzner31Institut für Anorganische Chemie, Universität Leipzig, Johannesallee 29, D-04103 Leipzig — 2Institut für Kristallographie und Mineralogie, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig — 3Institut für Experimentelle Physik II, Universität Leipzig, Linnéstrasse 3, D-04103 Leipzig

Das MOVPE-Wachstum von GaN-Nadeln wurde für die Quellenkombination Trimethylgallium und Dimethylhydrazin untersucht. Als Substratmaterial kamen (001) , (111) Ga, (111) As GaAs-, (111) Si- und (0001) , (0112) Al2O3-Substrate zum Einsatz. Bei der Niederdruck-MOVPE in einem kommerziellen Reaktor wurde der DMHy-Partialdruck von 0.07 bis 1 mbar und die Wachstumstemperatur von 550 bis 750C variiert. Die Charakterisierung erfolgte mittels TEM, HRTEM, SAD, Röntgendiffraktometrie und CL. GaN-Nadeln entstanden im Temperaturgebiet von 550 bis 650C. In allen Fällen wurde unter den GaN-Nadeln eine GaN-Schicht detektiert. Der anisotrope Wachstumsprozess ("‘catalyst-free"’), der zu nadelförmigen Kristallen im nm- bis µm-Bereich führt, steht offensichtlich mit Zinkblende-Wurtzit-Übergangen in dieser Übergangsschicht im Zusammenhang.

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