Heidelberg 2007 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 315: Halbleiterdetektoren II
T 315.2: Vortrag
Mittwoch, 7. März 2007, 17:00–17:15, INF 306 SR 14
Untersuchungen zur Strahlenhärte von epitaktischen Siliziumdetektoren — •Kathrin Koch1, Eckhart Fretwurst1, Gregor Kramberger2, Frank Hönniger1, Gunnar Lindström1, Ioana Pintilie1, 3, Ralf Röder4 und Alexandra Junkes1 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 2Jozef Stefan Institute, Ljubljana, Slovenien — 3National Institut for Material Physics, Bukarest, Rumänien — 4CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH, Erfurt
Es wurden Siliziumdetektoren auf 72 µ m dicken epitaktischen Siliziumschichten mit einem spezifischen Widerstand von 150 Ω cm hergestellt. Für die Prozessierung der Detektoren wurde einerseits das Standardverfahren und andererseits ein zusätzliches Verfahren zur Anreicherung der epitaktischen Schicht mit Sauerstoff angewandt. Die Strahlenhärte der Detektoren wurde für Reaktorneutronen mit Fluenzen bis zu 1016 n/cm2 untersucht. Durch isothermale Ausheilexperimente bei 80∘C können die langzeitigen Veränderungen der Detektoreigenschaften (Sperrstrom, effektive Dotierungskonzentration und Ladungssammlungseffizienz) für die Betriebszeit der Experimente am geplanten S-LHC am CERN simuliert werden. Die bisherigen Ergebnisse werden vorgestellt und anhand von TSC (Thermally Stimulated Current) Messungen zur Defektspektroskopie diskutiert.