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14:00 |
HL 42.1 |
Anforderungen an die Schichtstrukturen von grün emittierenden GaInN-Lasern — •Daniel Dräger, Carsten Netzel, Uwe Rossow, Daniel Fuhrmann, Andreas Hangleiter und David Schenk
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14:15 |
HL 42.2 |
Electrical properties of nonpolar cubic AlxGa1−xN/GaN HFETs — Stefan Potthast, •Marcio Peron Franco de Godoy, Elena Tschumak, Jörg Schörmann, Donat Josef As, Klaus Lischka, Hiroyuki Nagasawa, and Masayuki Abe
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14:30 |
HL 42.3 |
Characterization of AlGaN/GaN Enzyme Modified Field Effect Transistors — •Barbara Baur, John Howgate, Vedran Bandalo, Wiebke Steins, Martin Stutzmann, and Martin Eickhoff
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14:45 |
HL 42.4 |
Untersuchung von V-Defekten in InGaN/GaN Leuchtdioden mit Hilfe der Kelvin Probe Force Microscopy und der Scanning Current Voltage Microscopy — •André Lochthofen, Wolfgang Mertin, Gerd Bacher, Lutz Höppel und Berthold Hahn
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15:00 |
HL 42.5 |
Optical Chemical Sensors Based on GaN/AlN Quantum Dots — •Olaf Weidemann, Eva Monroy, Gunther Jegert, Stafan Birner, Martin Stutzmann, and Martin Eickhoff
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15:15 |
HL 42.6 |
Band gap and band parameters of InN from quasiparticle energy calculations based on exact-exchange density-functional theory — Patrick Rinke, Matthias Scheffler, Abdallah Qteish, and •Jörg Neugebauer
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15:30 |
HL 42.7 |
Optimierung von Nitrid-basierten sichtbaren und ultravioletten Lichtemittern — •Daniel Fuhrmann, Holger Jönen, Uwe Rossow, Carsten Netzel, Lars Hoffmann, Heiko Bremers und Andreas Hangleiter
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15:45 |
HL 42.8 |
Direct Observation of Substrate Modes in 405 nm (Al,In)GaN Laser Diodes — •Harald Braun, Christoph Lauterbach, Ulrich T. Schwarz, Valerio Laino, Bernd Witzigmann, Christian Rumbolz, Marc Schillgalies, Alfred Lell, Volker Härle, and Uwe Strauß
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16:00 |
HL 42.9 |
All-optical determination of the lateral electric field in InGaN/GaN quantum wells — •Clemens Vierheilig, Ulrich T. Schwarz, Werner Wegscheider, Nikolaus Gmeinwieser, Uwe Strauß, and Volker Härle
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