Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 45: ZnO II

HL 45.9: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2007, 16:15–16:30, H17

Homo-MOVPE von ZnO auf optimierten kommerziellen ZnO-Substraten — •Sören Heinze, Andre Krtschil, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Thomas Hempel, Jürgen Christen und Alois Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle PhysikOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik

Auf thermisch vorbehandelten ZnO-Substraten wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie dünne ZnO-Schichten abgeschieden. Die Qualität der Schichten ist stark abhängig vom Verhältnis des Sauerstoffprecursors (N₂O) zum Zinkprecursor (Dimethylzink) (VI/II-Verhältnis). Ein kleines VI/II-Verhältnis induziert eine raue Oberflächenmorphologie sowie dreidimensionale Pyramiden mit Abmaßen von einigen Mikrometern . Erhöht man das VI/II-Verhältnis, so verringern sich sowohl die Anzahl dieser dreidimensionalen Pyramiden als auch deren Größe. Bei hohen VI/II-Verhältnissen von ca. 25000 sind die Pyramiden komplett verschwunden und man erhält eine noch sehr raue abgeschiedene Schicht. Modifikationen an weiteren Wachstumsparametern wie der Temperatur und dem Reaktordruck verbessern die morphologischen Eigenschaften der Schicht deutlich. Bei höheren Temperaturen wachsen die einzelnen Domänen zusammen und die Schicht wird signifikant glatter. Durch eine Erhöhung des Reaktordrucks konnte das Wachstum bis hin zum Stufenwachstum verbessert werden. Insgesamt werden die Untersuchungsergebnisse der morphologischen, strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften dieser homoepitaktisch gewachsenen Schichten im Detail vorgestellt.