Regensburg 2007 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 46: Poster 2
HL 46.13: Poster
Donnerstag, 29. März 2007, 15:00–17:30, Poster A
Einfluss der Wachstumsbedingungen auf die strukturelle Qualität von AlGaN-Schichten — •Lars Hoffmann, Daniel Fuhrmann, Heiko Bremers, Uwe Rossow und Andreas Hangleiter — TU Braunschweig, Inst. f. Angewandte Physik
Die Effizienz UV-emittierender GaN/AlGaN QWs hängt entscheidend von der Qualität der AlGaN-Pufferschicht ab. In dieser Arbeit werden der Einfluss der Wachstumsbedingungen auf die strukturelle Qualität von AlGaN-Schichten und Wege zur Optimierung aufgezeigt. Dazu wurden mittels MOVPE AlGaN-Schichten auf Saphir-Substrat gewachsen. Es wurden die Wachstumsbedingungen einer AlN-Nukleationsschicht variiert und anschließend, bei optimierter AlN-Nukleation, die Wachstumsbedingungen des AlGaNs variiert. Diese Schichten werden dann mittels XRD, TEM, PL und AFM untersucht und es werden Rückschlüsse auf die Qualität der Schichten, ihre Defektdichten, ihre Grenz- und Oberflächen und ihren Verspannungsgrad gezogen. Insbesondere wird herausgestellt, dass der Al-Gehalt (xAl) der AlGaN-Schicht entscheidend von der Wachstumstemperatur abhängt und ihre Qualität mit ihr korrelliert. Es zeigt sich, dass bei gleichbleibenden Wachstumsbedingungen, aber bei tieferer Temperatur gewachsene AlGaN-Schichten, der xAl erhöht ist (−200∘C ⇒ +5% xAl) und sich die Rocking-Breiten der AlGaN-Schichten mit zunehmendem xAl vergrößert. Ferner lässt sich feststellen, dass die AlGaN-Schichten mit H2 als Trägergas tendenziell schmalere Rocking-Breiten als die mit N2 aufweisen. Allerdings zeigen die N2 Schichten unter dem AFM glattere Oberlächen.