Berlin 2008 – wissenschaftliches Programm
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DF: Fachverband Dielektrische Festkörper
DF 7: Point defect spectroscopy and engeneering
DF 7.7: Vortrag
Dienstag, 26. Februar 2008, 12:40–13:00, EB 107
Gitterplatzbestimmung und Ausheilverhalten von Hf implantiertem CaF2 — •Thomas Geruschke und Reiner Vianden — Helmholtz - Institut für Strahlen und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn, Deutschland
Untersucht wurden Hafnium implantierte Kalziumfluorid
Einkristalle der Firma Schott AG. Die Gitterschäden, die durch die Implantation entstanden sind, wurden mittels RBS (Rutherford back scattering) abgeschätzt. Der Gitterplatz der implantierten Hf Ionen wurde entlang der <110> Kristallachse durch Gitterführungsexperimente bestimmt. Diese Experimente zeigten, das sich direkt nach der Implantation die Hf Ionen hauptsächlich (ca. 90%) auf regulären Ca Gitterplätzen befinden. Ein Vergleich des RBS Winkelscans mit Monte Carlo Simulationen bestätigt dies.
Das Ausheilen der Implantationsschäden durch ein isochrones Temperprogramm wurde mittels der Methode der gestörten γ - γ Winkelkorrelation (PAC) untersucht. Es zeigte sich eine starke Quadrupolwechselwirkung mit einer Frequenz von νu=1200MHz (η=0.43) ab einer Ausheiltemperatur von 550∘C. Der Ursprung dieser Wechselwirkung sind Punktdefekte in unmittelbarer Sondenumgebung. Ob es sich dabei um Fluorfehlstellen oder substitutionellen Sauerstoff auf Fluorplätzen handelt ist noch Gegenstand der Untersuchung.