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Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik

Q 16: Photonik I

Q 16.6: Talk

Tuesday, March 11, 2008, 15:15–15:30, 2B/C

Charakterisierung eines integriert-optischen Nahfeldsensors mit erhöhter evaneszenter Feldintensität — •Julia Hahn, Frank Fecher, Jürgen Petter und Theo Tschudi — Institut für Angewandte Physik, Technische Universität Darmstadt

Zur Verbesserung der Empfindlichkeit eines Evaneszentfeldsensors soll bei gleich bleibender Eindringtiefe der Anteil der im zu untersuchenden Medium vorliegenden Intensität erhöht werden.

Die evaneszenten Felder über den zu diesem Zweck mit hochbrechendem Titandioxid beschichteten Wellenleiterstrukturen in Lithiumniobat charakterisieren wir im sichtbaren Spektralbereich mit einem SNOM (Scanning Near-Field Optical Microscope) im Vergleich zu unbeschichteten Wellenleitern. Die angespitzte Glasfaser des im Kollektionsmodus betriebenen SNOMs nimmt hierbei in präszise positionierten Scans punktgenau die Intensität des evaneszenten Feldes auf.

Es wurden sowohl Scans entlang der Wellenleiteroberfläche als auch senkrecht zur Oberfläche als Funktion des Abstandes aufgenommen. Hierbei konnte gezeigt werden, dass die Titandioxid-Beschichtung auf dem Wellenleiter zu einer fünfzehnfachen Erhöhung der evaneszenten Feldintensität an der Oberfläche zum Deckmedium führt. Hierbei bleibt die Eindringtiefe unverändert in der Größenordnung von wenigen zehn Nanometern.