Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 16: III-V semiconductors II

HL 16.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 2009, 09:30–09:45, POT 151

Temperaturverhalten des In(Cd)-Defekt-Komplexes in AlN — •Jens Niederhausen¹, Reiner Vianden¹ und Joao Guilherme Martins Correia² — ¹HISKP, Universität Bonn — ²ISOLDE Collaboration, CERN

Implantiert man ¹¹¹In in eine AlN-Schicht auf Saphir-Substrat und heilt dieses bei 1273 K aus, erwartet man den substitionellen Einbau der Sonde auf einem ungestörten Al-Gitterplatz. Mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) lässt sich jedoch noch eine weitere Situation nachweisen: ungefähr die Hälfte der Sonden befinden sich in einer Umgebung die einem In-Defekt-Komplex zuzuordnen ist. Diese Konfiguration konnte auch bei bulk-Proben nachgewiesen werden.

Zur Untersuchung seiner Dynamik wurden detaillierte Messungen über ausgewählte Temperaturbereiche mit Proben unterschiedlicher Schichtdicke durchgeführt. Es zeigte sich, dass die Dämpfung des Defektanteils in einem Bereich um 500 K minimal ist, wobei bei größerer Dicke das Plateau breiter ist. Bei Temperaturen bis zu einem Minimum von 4 K wurde keine Abnahme der Dämpfung festgestellt.

Bei Implantationen mit ^111mCd unter ähnlichen Bedingungen konnte die substitionelle Konfiguration (mit deutlich höherem Anteil) ebenfalls beobachtet werden. Dies zeigt, dass sich ein großer Teil der In- und Cd-Atome in gleicher Weise in das Wirtsgitter integrieren, was den Weg für Beta-Gamma-Messungen frei macht, mit Hilfe derer sich das Vorzeichen des EFG bestimmen lässt. Dies ist für theoretische Rechnungen wichtig. Der Cd-Defekt-Komplex ist weniger ausgeprägt als der In-Defekt-Komplex, muss jedoch noch genauer vermessen werden.