Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 16: III-V semiconductors II
HL 16.9: Vortrag
Dienstag, 24. März 2009, 11:45–12:00, POT 151
Pseudosymmetrische (11-20)-Reflexe bei a-planarem GaN auf r-planarem Saphir — •Matthias Wieneke, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar und Alois Krost — Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Postfach 4120, 39016 Magdeburg
Unter der Variation von Wachstumsbedingungen, z.B. des V-III-Verhältnisses oder der Wachstumstemperatur wurden unterschiedliche Serien von a-planaren GaN-Schichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf r-planarem Saphir gewachsen. Weiterhin wurde der Einfluss von Zwischenschichten, wie z.B. die Dicke oder die vertikale Position von SiNx-Nanomasken auf die Mikrostruktur der GaN-Schicht analysiert. Die Untersuchung der mikrostrukturellen Eigenschaften der gewachsenen Schichten erfolgte mittels hochauflösender Röntgenbeugung am symmetrischen (11-20)- und den in der Wachstumsebene liegenden (10-10)- und (0002)-Reflexen. Dabei zeigte diese und die Abhängigkeit von einigen Wachstumsparametern eine eindeutige Anisotropie in Bezug auf die m- und c-Richtung in der Wachstumsebene. So wiesen die ω-Scans des symmetrischen (11-20)-Reflexes eine deutliche Abhängigkeit von der Einfallsrichtung der Röntgenstrahlung bezüglich des Azimutwinkels auf. Genauere Untersuchungen mittels (11-20)-Polfiguren ergaben für einige Wachtumsbedingungen zwei annähernd symmetrische Texturkomponenten, die um wenige Grad zu einander und zur Oberflächennormalen verkippt sind. Der Einfluss beider Komponenten auf die Messungen unter Standardeinstellungen und Annahme eines symmetrischen Reflexes wird diskutiert.