Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 36: ZnO: preparation and characterization II

HL 36.5: Vortrag

Mittwoch, 25. März 2009, 15:15–15:30, POT 51

Strukturuntersuchungen an polykristallinem In₂O₃(ZnO)_m und InGaO₃(ZnO)_m — •Patrick Kessler¹, Reiner Vianden¹, Wentao Yu² und Werner Mader² — ¹HISKP, Universität Bonn — ²Institut für anorganische Chemie, Universität Bonn

Transparente und leitende Oxid-Filme (TCO) sind Gegenstand aktueller Forschung, da sie als transparente Elektroden in optoelektronischen Anwendungen wie zum Beispiel Flachbildschirmen genutzt werden können. Weit verbreitet sind In₂O₃:Sn-Filme, die wegen der geringen Verfügbarkeit von In, sehr teuer geworden sind. Als Alternative werden In₂O₃-ZnO Systeme mit hoher ZnO Konzentration diskutiert, welche die gleichen optischen und elektrischen Eigenschaften aufweisen. Die genaue atomare Struktur dieser Filme ist noch nicht abschließend geklärt.

Untersucht wird deshalb In₂O₃(ZnO)_m und InGaO₃(ZnO)_m mit der Methode der gestörten γ - γ Winkelkorrelation (PAC). Dazu wird ¹¹¹In als Sondenatomen durch Diffusion in gepresstes Pulver eingebracht und bei 1300^∘C gesintert. Mit der PAC kann nun die direkte Sondenumgebung studiert werden.

Indium in In₂O₃(ZnO)_m befindet sich ab einer bestimmten Konzentration (m>6) auf basalen Ebenen und sich dazwischen bildenden Zick-Zack Strukturen (ZZ), wie Messungen und theoretische Rechnungen zeigen. Bei InGaO₃(ZnO)_m wird das Gallium bevorzugt auf diesen ZZ Plätzen eingebaut und verdrängt dort das Indium. Dies kann nun mit der PAC durch Vergleich der Sondenumgebungen in In₂O₃(ZnO)_m und InGaO₃(ZnO)_m überprüft werden.