Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 4: II-VI semiconductors
HL 4.8: Vortrag
Montag, 23. März 2009, 12:15–12:30, POT 51
Einfluss eines stöchiometriebedingten p-n-Übergangs auf die Diffusion in CdZnTe — •J. Kronenberg1, F. Wagner1, H. Wolf1, Th. Wichert1 und ISOLDE Collaboration2 — 1Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66123 Saarbrücken — 2CERN, PH Department, 1211 Genf
In früheren Studien wurde gezeigt, dass die Diffusion von Ag und Cu in CdTe ungewöhnliche Konzentrationsprofile aufweist [1]. Nach einseitiger Implantation und anschließender Diffusion unter Cd-Dampfdruck entsteht ein bzgl. der Probenmitte (Dicke ca. 800 µm) symmetrisches, peakförmiges Profil. Notwendig dazu ist Te-reiches, p-leitendes Material, das durch die thermische Behandlung unter Cd-Druck in Cd-reiches, n-leitendes Material umgewandelt wird. Liegen bei der Diffusionstemperatur die Dotieratome hauptsächlich als positiv geladene, hoch mobile Zwischengitteratome vor, so spiegelt das Konzentrationsprofil das Profil der Fermienergie wider. Dabei zeigen dessen Flanken die aktuelle Position des p-n-Übergangs zwischen Te reichem und Cd reichem Material an. Mittlerweile wurden auch für Au und Na in CdTe nahezu dieselben Eigenschaften beobachtet. Auch Co und Ni zeigen ungewöhnliche Diffusionsprofile, unterscheiden sich jedoch deutlich von denen für Ag, Cu, Na und Au. Die beobachteten kastenförmigen Profile reichen von der implantierten Oberfläche bis hin zum jeweiligen p-n-Übergang. Ursachen für die Entstehung der kastenförmigen Profile werden diskutiert.
Gefördert durch das BMBF, Projekt 05 KK7TS1
[1] H. Wolf et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 125901