Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 40: ZnO: preparation and characterization III
HL 40.5: Vortrag
Donnerstag, 26. März 2009, 10:45–11:00, BEY 118
Strukturelle Charakterisierung der Donator-Akzeptor-Kodotierung von ZnO — •Muhammed Türker, Peter Reichert, Manfred Deicher, Herbert Wolf und Thomas Wichert — Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66123 Saarbrücken
Auf Grund seiner optischen Eigenschaften ist ZnO ideal für optoelektronische Anwendungen im blauen und UV-Bereich. Allerdings bereitet im Gegensatz zur n-Dotierung die p-Dotierung nach wie vor große Schwierigkeiten. Als Möglichkeit für eine verbesserte p-Dotierung werden die Donator-Akzeptor-Kodotierung [1] oder die Cluster-Dotierung [2] vorgeschlagen. Dabei führt die Bildung von Donator-Akzeptor-Komplexen zur Verbesserung der Akzeptorlöslichkeit und somit zu einer Steigerung der p-Leitfähigkeit. Experimentell wurde dieser Ansatz für die In-N-Kodotierung durch elektrische Messungen bestätigt [3]. Auf atomarer Ebene sind solche Defektkomplexe durch einen elektrischen Feldgradienten (EFG) am Ort des Donators Indium charakterisiert, der mit Hilfe der gestörten γγ-Winkelkorrelation (PAC) und des radioaktiven Donators 111In gemessen werden kann. Für verschiedene Verfahren der In-N-Kodotierung (Implantation und/oder Diffusion) wurde neben dem EFG des ungestörten ZnO-Gitters (νQGitter = 31 MHz) ein durch νQ = 151(1) MHz charakterisierter Defekt beobachtet, der auf eine Bildung von In-N-Komplexen hinweisen kann.
Gefördert durch das BMBF, Projekt 05KK7TS1.
[1] T. Yamamoto et al., Physica B 302-303 (2001) 155
[2] L.G. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 256401
[3] L.L. Chen et al., Appl. Phys. Lett 87 (2005) 252106