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Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik
Q 61: Laserentwicklung: Halbleiterlaser
Q 61.5: Vortrag
Freitag, 6. März 2009, 11:30–11:45, VMP 8 HS
Erzeugung von 190 fs Pulsen mit einem InGaAs-AlGaAs Halbleiterscheibenlaser — •Peter Klopp1, Uwe Griebner1, Martin Zorn2 und Markus Weyers2 — 1Max-Born-Institut, Berlin, Germany — 2Ferdinand-Braun-Institut, Berlin, Germany
Intensive Anstrengungen sind darauf gerichtet von der großen Verstärkungsbandbreite von Halbleitermedien für die Erzeugung ultrakurzer Pulse zu profitieren. Pulsdauern von 310 fs und 390 fs wurden für Quantentrog-Kantenemitter- und Quantenpunkt-Laser erzielt. Kürzere Pulse mit einer Dauer von 290 fs wurden kürzlich mit optisch gepumpten, Halbleiterscheibenlasern (SDL) demonstriert [1]. Wir berichten über die Erzeugung von nahezu bandbreitenbegrenzten sub-200 fs Pulsen mit SDL. Die oberflächenemittierende Verstärkungsstruktur besteht aus 4 InGaAs-Quantentrögen (QWs) in unregelmäßiger Anordnung. Die Absorption der 840 nm Diodenlaser-Pumpstrahlung erfolgt in Al-gradierten GaAs-Barrieren, welche sich zwischen den QWs befinden [1]. Zur passiven Modenkopplung dient ein oberflächennah (2 nm) positionierter sättigbarer InGaAs single-QW auf einem Bragg-Spiegel. Pulse mit einer Dauer von 190 fs konnten ohne weitere Elemente zur Dispersionskontrolle im Resonator generiert werden. Bei einer Pulsfolgefrequenz von 3 GHz wird eine mittlere Leistung von 5 mW im Wellenlängenbereich um 1035 nm erzielt. Ein entscheidender Parameter zur Erzeugung der nahezu Fourier-limitierten Pulse ist die spektrale Position des Absorptionsmaximums relativ zum Verstärkungsmaximum.
[1] P. Klopp et al., Opt. Express 16, 5770 (2008).