Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

T: Fachverband Teilchenphysik

T 56: Halbleiterdetektoren 2

T 56.1: Vortrag

Dienstag, 10. März 2009, 16:45–17:00, A125

Korrelation zwischen Clusterdefekten und Sperrstrom in Siliziumdetektoren — •Alexandra Junkes¹, Eckhart Fretwurst¹, Doris Eckstein¹ und Ioana Pintilie² — ¹Universität Hamburg — ²NIMP Bukarest-Margurele, Rumänien

Der geplante Ausbau des LHC zum S-LHC erfordert eine weitere Erhöhung der Strahlentoleranz der in den Spurdetektoren der verschiedenen Experimente (z. B. CMS und ATLAS) eingesetzten Siliziumsensoren. Dies kann durch ein geeignetes „defect engineering“ nur dann erreicht werden, wenn die den Strahlungsschädigungseffekten zugrundeliegenden Defekte und deren Erzeugungsmechanismen bekannt sind.

Hierzu wurden Untersuchungen zur Defektcharakterisierung mit Hilfe der Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) und der Thermally Stimulated Current (TSC) Methode an vier n- leitenden Siliziummaterialien mit unterschiedlichen Sauerstoffkonzentrationen durchgeführt. Die Dioden wurden mit 24 GeV/c Protonen oder Neutronen bestrahlt und isochronal im Temperaturbereich zwischen 20 ^∘C und 300 ^∘C ausgeheilt. Die Ergebnisse in der Entwicklung der Konzentrationen der Clusterdefekte aus DLTS- oder TSC-Messungen und den aus I-V Kennlinien extrahierten Sperrströmen werden vorgestellt und diskutiert.