Bonn 2010 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
T: Fachverband Teilchenphysik
T 64: Strahlenhärte von Halbleiterdetektoren II
T 64.7: Vortrag
Donnerstag, 18. März 2010, 18:15–18:30, HG ÜR 6
Ladungssammlung in epitaktischen Siliziumdetektoren nach Neutronbestrahlung — •Thomas Pöhlsen, Julian Becker, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner und Jörn Lange — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg
Untersucht werden Siliziumdetektoren, die zukünftig am LHC eingesetzt werden könnten. Nach dem nächsten Luminositäts-Upgrade (sLHC) wird die Strahlenbelastung für die innersten Detektoren auf ca. 1.6 · 1016 cm−2 in 5 Jahren steigen.
Ladungsträgereinfang aufgrund von Strahlenschäden sorgt für Signalabschwächung und begrenzt somit die Funktionalität der eingesetzten Detektoren. Epitaktische Siliziumdioden sind ein guter Kandidat für strahlenharte Dioden am sLHC.
75 bis 150 µm dicke epitaktische Siliziumdetektoren nach Neutronbestrahlung mit Fluenzen bis 4 · 1015 cm−2 wurden mit der Transient Current Technique (TCT) untersucht. Beobachtete Strukturen im TCT-Signal (zwei Maxima) konnten unter der Annahme einer quadratischen Feldverteilung im Detektor simuliert werden. Die Feldabhängigkeiten der Einfangwahrscheinlichkeiten wurden bestimmt.
Die Messergebnisse und die Simulationen werden vorgestellt und diskutiert.