Dresden 2011 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 63: II-VI-Compounds
HL 63.5: Talk
Wednesday, March 16, 2011, 16:45–17:00, POT 151
Einfluss von Metallfilmen auf die Diffusion von Ag in CdTe — •Johannes Lehnert1, Jörg Kronenberg1, Herbert Wolf1, Thomas Wichert1 und ISOLDE Collaboration2 — 1Technische Physik, Universität des Saarlandes, D-66123 Saarbrücken — 2CERN, CH-1211 Geneva 23
Es ist bekannt, dass für Gruppe I Elemente in CdTe, wie z.B. Ag, unter geeigneten externen Bedingungen bei ca. 800 K peakförmige Konzentrationsprofile erzeugt werden können [1]. In diesem Beitrag wird gezeigt, dass mit Hilfe von aufgedampften Metallfilmen solche Profile bei signifikant niedrigeren Temperaturen von unter 600 K gebildet werden können. Im ersteren Fall war nach einseitiger Implantation von 111Ag in Te-reiches, p-leitendes CdTe (Dicke ca. 800 µm) die Probe bei 800 K (60 min) unter Cd-Dampfdruck diffundiert worden. Das 111Ag-Profil spiegelt bei diesem Prozess die sukzessive Umwandlung des Te-reichen, p-leitenden Material in Cd-reiches, n-leitendes Material wider. Im zweiten Fall wird nach der Implantation, aber vor der Diffusion, ein Metallfilm auf die Oberfläche aufgedampft. In Fall von aufgedampftem Au genügt dann bereits eine Diffusionstemperatur von 580 K (30 min), um das entsprechende Profil zu erzeugen. Der Einfluss unterschiedlicher Metallfilme auf diesen Prozess wird diskutiert werden. Aufgrund der in beiden Experimenten übereinstimmenden Form der Ag-Profile gehen wir davon aus, dass die aufgedampften Metallfilme Ursache für eine Quelle von eindiffundierenden Cd-Atomen sind.
Gefördert durch das BMBF, Projekt 05 KK7TS1
[1] H. Wolf et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 125901