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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 79: Photovoltaics: Mainly Silicon
HL 79.10: Vortrag
Donnerstag, 17. März 2011, 17:00–17:15, FOE Anorg
(Beitrag abgesagt) Charakterisierung von WS2-Korngrenzen mit ortsaufgelösten Rasterkraftmikroskopietechniken (CAFM, KPFM) — •Roman Mankowsky, Klaus Ellmer und Stephan Brunken — Helmholtz-Zentrum, Berlin, Germany
Wolframdisulfid ist wegen seiner direkten Bandlücke von 1,8eV und dem hohen Absorptionskoeffizienten von 105cm−1 ein interessantes Material für Absorberschichten in Dünnschichtsolarzellen. Zudem kommt WS2 mit einem Anteil von 6· 10−3% in der Erdkruste sehr viel häufiger vor als andere für Dünnschichtsolarzellen verwendete Materialien. Aus diesen Gründen bietet es sich an zu untersuchen, ob WS2 für die Produktion von Solarzellen in großem Umfang geeignet ist.
In vorangehenden Arbeiten wurde demonstriert, wie mit nickel-induzierter Kristallisation amorpher WS3+x-Schichten photoaktive WS2-Schichten auf einem metallischen Rückkontakt aus Ti(N,O) hergestellt werden können. Dennoch konnten wegen Kurzschlüssen in den WS2-Schichten bisher keine Solarzellen präpariert werden.
Zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften der mikroskopischen Strukturen wurden ortsaufgelöste Leitfähigkeitsmessungen (CAFM) und Austrittsarbeitsmessungen (KPFM) kombiniert. Die Kombination von KPFM- und CAFM-Messungen erlaubt einen tiefen Einblick in die elektrischen Eigenschaften von Strompfaden mit nm Auflösung.
Mit diesen Techniken wurden Strompfade an WS2-Korngrenzen und Fremdphasen in den WS2-Schichten untersucht und mit Messungen an CdTe- und Cu(In,Ga)S2-Schichten verglichen.