Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm
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O: Fachverband Oberflächenphysik
O 6: Semiconductor substrates: Adsorption
O 6.1: Vortrag
Montag, 14. März 2011, 11:15–11:30, WIL B122
Silber-induzierte Vorstrukturierung vicinaler Si-Oberflächen für das Wachstum von Ge-Nanostrukturen — •Inga Heidmann1, Moritz Speckmann1, Thomas Schmidt1, Miguel Angel Niño Orti2, Tevfik Onur Menteş2, Andrea Locatelli2 und Jens Falta1 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28359 Bremen — 2Sincrotrone Trieste, 34 149 Basovizza/Trieste, Italien
Der Einsatz von Adsorbaten ist ein vielversprechender Ansatz, das Wachstum von Ge-Nanostrukturen auf Si-Oberflächen durch Vorstrukturierung der Substratoberfläche und Modifikation des Wachstums selbst gezielt zu beeinflussen. Zu diesem Zweck kamen verschiedene oberflächensensitive Methoden wie hochauflösende niederenergetische Elektronenbeugung (SPA-LEED), niederenergetische Elektronenmikroskopie (LEEM) sowie Rasterelektronenmikroskopie (SEM) zur Anwendung. Während zur Vorstrukturierung bisher verstärkt Adsorbate aus den III. und V. Hauptgruppen untersucht wurden, wurde in diesem Fall das Adsorptionsverhalten von wenigen Monolagen Silber auf der Si(112)- sowie Si(113)-Oberfläche charakterisiert. Hierbei konnte jeweils eine Ausbildung von regelmäßigen Nanofacetten festgestellt werden. Zudem wurde der Einfluss der mit Silber vorstrukturierten Oberflächen auf das anschließende Ge-Wachstum analysiert, wobei anisotrope Inseln mit einer verstärkten Ausrichtung entlang der Facetten beobachtet werden konnten.