Karlsruhe 2011 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 63: Halbleiterdetektoren III
T 63.1: Vortrag
Mittwoch, 30. März 2011, 16:45–17:00, 30.21: 001
Auswirkungen von Kristallgitterschäden auf die elektrischen Eigenschaften von Test-Dioden für den Ausbau des CMS-Spurdetektors — •Alexandra Junkes1, Doris Eckstein2, Joachim Erfle1, Eckhart Fretwurst1, Thomas Pöhlsen1 und Georg Steinbrück1 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 2DESY
Die Strahlenbelastung der Spurdetektoren wird durch den geplanten Ausbau des LHC zum High Luminosity LHC deutlich zunehmen, wobei die Anforderungen an die Strahlenhärte der Sensoren stark vom Abstand zum LHC-Strahl abhängen. Im Rahmen einer Testreihe für zukünftige CMS-Detektoren werden deshalb unterschiedliche Siliziummaterialien und Sensorgeometrien untersucht. Aus dieser Produktion zeigen die im Zonenziehverfahren (FZ) hergestellten Dioden unerwartete elektrische Eigenschaften, welche mittels Kapazität-Spannungs- und Strom-Spannungs-Charakteristika bestimmt wurden. Die beobachteten Effekte können auf herstellungsbedingte Kristallgitterschäden im Silizium zurückgeführt werden. Eine Charakterisierung dieser Kristalldefekte wurde mittels Deep Level Transient Spectroscopy vorgenommen.