Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 10: Quantum Dots and Wires: Preparation and Characterization II (mainly Arsenides)

HL 10.5: Vortrag

Montag, 26. März 2012, 12:15–12:30, EW 202

Einfluss eines vergrabenen Stressors auf das Wachstum von InGaAs mit MOCVD — •David Quandt, Jan-Hindrik Schulze, Tim David Germann, André Strittmatter, Udo Pohl und Dieter Bimberg — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin

Das Wachstum von InGaAs ist abhängig vom Verspannungsfeld der Wachstumsoberfläche. Durch Einsatz einer vergrabenen Oxidapertur kann die Oberflächenverspannung lateral moduliert werden. Hierzu werden Mesen oder Steifen mit einer AlGaAs-Schicht und einer GaAs-Deckschicht hergestellt. Durch selektive Oxidation erfährt das AlGaAs eine Volumenreduktion, wodurch die GaAs-Deckschicht verspannt wird. Wird auf eine solche Oberfläche InGaAs abgeschieden kommt es zu lateral unterschiedlichen Wachstumsraten für GaAs und InAs. Wird die Oberflächenverspannung relativ zur Gitterkonstante von GaAs betrachtet, so ist das InAs-Wachstum an Stellen mit tensiler Verspannung begünstigt und das GaAs-Wachstum an unverspannten Stellen. Durch diese lokale Variation der Wachstumsraten weißt die InGaAs-Schicht sowohl eine Dicken- wie auch Kompositionsvariation auf.

Die Wirkung dieser Wachstumsmodulation wird sowohl zum selektiven Wachstum von Quantenpunkten als auch zur lateralen Modulation von InGaAs-Quantenfilmen verwendet. Die Anwendung dieser Methode in optoelektronischen Bauelementen wird diskutiert.