Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 39: ZnO and Relatives II

HL 39.6: Vortrag

Dienstag, 27. März 2012, 12:45–13:00, EW 202

Hyperfeinwechselwirkung in ZnO unter uniaxialem Druck — •Rita Przewodnik und Reiner Vianden — Helmholtz-Institut für Strahlen und Kernphysik, 53115 Bonn, Deutschland

Untersucht werden Zinkoxid Einkristalle unter uniaxialer Belastung im Druckbereich von 0-300 MPa. Aufgrund der Wurtzitstruktur bildet sich ein zur c-Achse axialsymmetrischer, elektrischer Feldgradient (EFG) aus, dessen Betrag vom c/a Verhältnis der Kristallachsen abhängt. Das Verhältnis der Kristallachsen ändert sich im Belastungsfall, womit der EFG beeinflusst wird.

Die Änderung des EFG in Abhängigkeit von der externen Druckspannung wird mit der Methode der gestörten γ-γ-Winkelkorrelation (Perturbed Angular Correlation, PAC) bestimmt. Als Sonden werden dazu ¹¹¹In-Ionen implantiert, die substitutionell auf Zinkplätzen ins Kristallgitter eingebaut werden. Die entstehenden Implantationsschäden werden vor der Messung ausgeheilt. Die Experimente zeigen in dem betrachteten Druckbereich eine lineare Zunahme des EFG bei uniaxialer Druckerhöhung in Richtung der c-Achse. Eine Druckerhöhung entlang der m-Achse führt zu einer linearen Abnahme bei zunehmender Asymmetrie des EFG.