Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 63: Devices I

HL 63.6: Vortrag

Mittwoch, 28. März 2012, 16:15–16:30, EW 015

AlInN/GaN FETs auf Si(001) — •Armin Dadgar, Hartmut Witte, Jürgen Bläsing, Annette Diez und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von Guericke-Universität Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg

Das Wachstum von FET Strukturen auf Si(001) eröffnet die Möglichkeit der Integration von GaN-basierter Hochleistungselektronik mit der gängigen Si CMOS Technologie. Wir untersuchen das Wachstum von AlInN/GaN-basierten FET Strukturen auf Si Substraten. Dabei ist AlInN ein interessantes Halbleitersystem, das das gitterangepasste Wachstum auf GaN bei gleichzeitig hohen pyroelektrischen Feldern ermöglicht. Dies erlaubt 2-dimensionale Elektronengaskonzentrationen, die deutlich über denen im System AlGaN/GaN mit ca. 1xE13 cm-3 liegen. Hier untersuchen wir die Eigenschaften von solchen Strukturen im Vergleich zu Strukturen auf dem ebenfalls in der CMOS Technologie eingesetzten Si(110) und dem für das GaN Wachstum üblichen Si(111). Hauptunterschied ist dabei die kristalline Qualität der Pufferschichten. Die Auswirkungen dieser Qualitätsunterschiede werden mittels Röntgendiffraktometrie, Hall-Effekt, Atomkraft- und Oberflächenpotentialmikroskopie und Photolumineszenzmessungen untersucht.