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Berlin 2012 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 64: GaN: Preparation and Characterization III

Wednesday, March 28, 2012, 16:30–18:30, EW 202

16:30 HL 64.1 Overcoming the limiting factors to achieve green lasing — •Andreas Kruse, Uwe Rossow, and Andreas Hangleiter
16:45 HL 64.2 Impact of silane on heteroepitaxial growth and properties of a-plane GaN — •Matthias Wieneke, Thomas Hempel, Hartmut Witte, Antje Rohrbeck, Peter Veit, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Jürgen Christen, and Alois Krost
17:00 HL 64.3 In-situ Measurements and X-ray Diffraction of AlInN/AlGaN Distributed Bragg Reflectors — •Christoph Berger, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Alexander Franke, Thomas Hempel, Jürgen Christen, and Alois Krost
17:15 HL 64.4 Pulsed growth of InN and Ga1−xInxN with large x by MBE — •Andreas Kraus, Heiko Bremers, Uwe Rossow, and Andreas Hangleiter
17:30 HL 64.5 Determination of indium content in semipolar GaInN multiple quantum well samples using XRD — •Heiko Bremers, Holger Jönen, Uwe Rossow, Stefan Schwaiger, Ferdinand Scholz, and Andreas Hangleiter
17:45 HL 64.6 STEM and XRD investigations of ultra thin GaInN/GaN quantum wells with high indium content — •Lars Hoffmann, Heiko Bremers, Holger Jönen, Uwe Rossow, Thorsten Mehrtens, Marco Schowalter, Andreas Rosenauer, and Andreas Hangleiter
18:00 HL 64.7 Optimierung der Präparation von GaN-basierten Proben mittels Niedrigenergie-Ionendünnung für (S)TEM — •Stephanie Bley, Thorsten Mehrtens, Andreas Rosenauer und Satyam Parlapalli
18:15 HL 64.8 Bestimmung der Gitterparameter in orthorombisch verzerten semipolaren und unpolaren Wurtzitstrukturen — •Martin Frentrup, Tim Wernicke, Markus Pristovsek und Michael Kneissl
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