Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 64: GaN: Preparation and Characterization III
HL 64.7: Vortrag
Mittwoch, 28. März 2012, 18:00–18:15, EW 202
Optimierung der Präparation von GaN-basierten Proben mittels Niedrigenergie-Ionendünnung für (S)TEM — •Stephanie Bley1, Thorsten Mehrtens1, Andreas Rosenauer1 und Satyam Parlapalli2 — 1AG Elektronenmikroskopie, Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Deutschland — 2Institute of Physics, Bhubaneswar 751005, India
Die Präparation von TEM-Proben mittels hochenergetischer Ionenstrahlen (Energie > 5keV) bewirkt die Bildung von Punktdefekten bzw. die Amorphisierung der Probenoberfläche. Die amorphe Oberflächenschicht führt im TEM zu einem fleckigen, inhomogenen Bildkontrast, wodurch eine quantitative Analyse der Probe erschwert wird. Anhand von (S)TEM-Untersuchungen an GaN-basierten Proben wird gezeigt, dass durch die Präparation mittels Niedrigenergie-Ionendünnung (Energie < 1keV) die amorphe Oberflächenschicht deutlich reduziert und der Bildkontrast verbessert wird. Dazu werden die experimentell ermittelten Daten für verschiedene Ionendünnungsverfahren mit simulierten Daten (Monte Carlo Simulation, SRIM) verglichen. Außerdem werden Dickenprofile der Probe durch den Vergleich der normierten Intensität aus STEM-Bildern mit einer durch die Frozen Lattice-Methode simulierten Referenzintensität erzeugt. Anhand der Änderung der Probendicke vor und nach der Behandlung mit niederenergetischen Ionen wird die Ätzrate bestimmt.