Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 64: GaN: Preparation and Characterization III

Mittwoch, 28. März 2012, 16:30–18:30, EW 202

	16:30	HL 64.1	Overcoming the limiting factors to achieve green lasing — •Andreas Kruse, Uwe Rossow, and Andreas Hangleiter
	16:45	HL 64.2	Impact of silane on heteroepitaxial growth and properties of a-plane GaN — •Matthias Wieneke, Thomas Hempel, Hartmut Witte, Antje Rohrbeck, Peter Veit, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Jürgen Christen, and Alois Krost
	17:00	HL 64.3	In-situ Measurements and X-ray Diffraction of AlInN/AlGaN Distributed Bragg Reflectors — •Christoph Berger, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Alexander Franke, Thomas Hempel, Jürgen Christen, and Alois Krost
	17:15	HL 64.4	Pulsed growth of InN and Ga1−xInxN with large x by MBE — •Andreas Kraus, Heiko Bremers, Uwe Rossow, and Andreas Hangleiter
	17:30	HL 64.5	Determination of indium content in semipolar GaInN multiple quantum well samples using XRD — •Heiko Bremers, Holger Jönen, Uwe Rossow, Stefan Schwaiger, Ferdinand Scholz, and Andreas Hangleiter
	17:45	HL 64.6	STEM and XRD investigations of ultra thin GaInN/GaN quantum wells with high indium content — •Lars Hoffmann, Heiko Bremers, Holger Jönen, Uwe Rossow, Thorsten Mehrtens, Marco Schowalter, Andreas Rosenauer, and Andreas Hangleiter
	18:00	HL 64.7	Optimierung der Präparation von GaN-basierten Proben mittels Niedrigenergie-Ionendünnung für (S)TEM — •Stephanie Bley, Thorsten Mehrtens, Andreas Rosenauer und Satyam Parlapalli
	18:15	HL 64.8	Bestimmung der Gitterparameter in orthorombisch verzerten semipolaren und unpolaren Wurtzitstrukturen — •Martin Frentrup, Tim Wernicke, Markus Pristovsek und Michael Kneissl