Göttingen 2012 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 67: Halbleiterdetektoren: Strahlenschäden

T 67.1: Vortrag

Freitag, 2. März 2012, 08:30–08:45, ZHG 001

Einfluss von Strahlenschäden auf die charakteristischen Streifenkenngrößen von Siliziumstreifensensoren unterschiedlicher Grundmaterialien — Tobias Barvich, Felix Bögelspacher, Alexander Dierlamm, Sabine Frech, Frank Hartmann, •Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller und Pia Steck — Institut für Experimentelle Kernphysik (EKP), KIT

Da die aktuellen Siliziumstreifensensoren am LHC, aufgrund der deutlich höheren Strahlenbelastung am HL-LHC, nicht lange funktionieren würden, benötigt man für den Ausbau zum HL-LHC deutlich strahlenhärtere Sensoren. Im Rahmen der CMS Tracker Collaboration wurde eine umfangreiche Messkampagne gestartet, um das am besten geeignete Siliziumgrundmaterial für einen zukünftigen Spurdetektor zu finden. Im Folgenden werden Untersuchungen zur Entwicklung der Streifenkenngrößen nach Bestrahlung gezeigt, welche Aufschluss über die Eignung der verschiedenen Materialien geben. Die Messungen wurden an Float-Zone und Magnetic-Czochralski Siliziumsensoren mit unterschiedlichen Dicken und zu unterschiedlichen Fluenzen bestrahlt durchgeführt.