Göttingen 2012 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 67: Halbleiterdetektoren: Strahlenschäden
T 67.4: Vortrag
Freitag, 2. März 2012, 09:15–09:30, ZHG 001
Bestimmung der Lebensdauern von Ladungsträgern in strahlengeschädigtem Silizium — •Thomas Pöhlsen, Joachim Erfle und Eckhart Fretwurst — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg
Zur Bestimmung der Lebensdauern der Ladungsträger in strahlengeschädigtem Silizium existieren unterschiedliche Methoden. Die für Fluenzen bis einige 1014 cm−2 etablierte Charge Correction Method setzt konstante und feldunabhängige Lebensdauern der Ladungsträger voraus. Bei höheren Fluenzen können die Daten mit dieser Annahme nicht beschrieben werden, da bei hohen Spannungen weniger Ladungsträgerverluste auftreten als erwartet.
Bei Fluenzen über 1015 cm−2 werden Lebensdauern ermittelt, die um ein Faktor 2 über den Extrapolationen von Messungen bei kleinen Fluenzen liegen.
Verschiedene Methoden zur Bestimmung der Lebensdauern werden vorgestellt und diskutiert.