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HK: Fachverband Physik der Hadronen und Kerne
HK 12: Instrumentation
HK 12.8: Talk
Monday, March 19, 2012, 18:30–18:45, P 3
Strahlenhärte eines hochohmigen CMOS Monolithic Active Pixel Sensors bis 3· 1014 neq/cm2* — •Dennis Doering — Goethe-Universität, Frankfurt
Die Strahlenhärte von monolithischen CMOS-Pixelsensoren (MAPS), wie sie im ILC, im Heavy-Flavour-Tracker von STAR und Mikro-Vertex-Detektor von CBM verwendet werden sollen, ist im vergangenem Jahrzehnt stark verbessert worden. So konnte vor kurzem unter Verwendung eines hochohmigen aktiven Volumens die Strahlenhärteanforderungen des CBM-Experimentes von 1013 neq/cm2 erfüllt werden. Dadurch motiviert, wurde mit Hilfe des hochohmigen Sensors MIMOSA-18AHR die Strahlenhärte als Funktion der Pixelgröße vermessen.
Die Ergebnisse dieser Studie legen nahe, dass bei geeigneter Kühlung und einer kleinen Pixelgröße (10 µ m) eine Strahlenhärte von mindestens 3· 1014 neq/cm2 erreicht worden ist, was eine neue Größenordnung in Bezug auf Strahlenhärte von CMOS-Sensoren darstellt.
*gefördert durch das BMBF (06FY9099I), HIC for FAIR und GSI.