Stuttgart 2012 – wissenschaftliches Programm

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P: Fachverband Plasmaphysik

P 14: Poster: Plasmatechnologie

P 14.7: Poster

Mittwoch, 14. März 2012, 16:30–19:00, Poster.III

Mikrowellengestütze Abscheidung von dünnen amorphen Siliziumschichten aus einem Silan-Wasserstoff-Plasma — •Patric Büchele, Jochen Kopecki, Evelyn Ramisch, Andreas Schulz, Matthias Walker und Ulrich Stroth — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

An dünne amorphe hydrogenisierte Siliziumschichten (a-Si:H) für photovoltaische Anwendungen werden in der Industrie hohe Ansprüche gestellt. Die intrinsische Schichten übernehmen dabei die wichtigste Aufgabe in der Dünnschicht-Photovoltaik, da sie Licht absorbieren und daraus Strom produzieren. Durch großflächiges Abscheiden der intrinsischen amorphen Siliziumschichten mittels einem HF-PECVD Verfahren entstehen qualitative Mängel durch bspw. stehende Wellen auf den Kondensatorplatten. Diese Arbeit zeigt das große Potential einer Abscheidung mittels mikrowellengestützem PECVD Verfahren bei einer hohen Depositionsrate. Als Plasmaquelle wird die Duo-Plasmaline verwendet, welches sich der Mikrowellenkopplung einer Frequenz von f=2,45 GHz bedient. Die Charakterisierung der a-Si:H-Schichten erfolgt durch Photo- und Dunkelleitfähigkeitsmessungen, Defektbestimmung durch die Ermittlung der Aktivierungsenergie sowie der Transmissions- und Absorptionsuntersuchungen. Bei einer Schichtdicke von 0,5 µ m werden Photo-Dunkelleitfähigkeitsverhältnisse von >10³ erreicht mit einer Aktivierungsenergie bei der Hälfte des kubischen Bandenabstands.