Dresden 2013 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 68: Halbleiterdetektoren: Strahlenhärte, neue Materialien und Konzepte 3

T 68.6: Vortrag

Donnerstag, 7. März 2013, 18:00–18:15, GER-009

Einfluss von Strahlenschäden auf Siliziumstreifensensoren aus unterschiedlichen Grundmaterialien — Tobias Barvich, Felix Bögelspacher, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Robert Eber, •Sabine Frech, Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller und Pia Steck — Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP), KIT

Die derzeitigen Siliziumstreifensensoren sind für den Ausbau des LHC am CERN zum HL-LHC (Hochluminositätsphase des LHC) nicht mehr geeignet, da sie auf Grund der hohen Strahlenbelastung schon nach kurzer Zeit nicht mehr ausreichend Signale liefern können. Daher müssen neue Sensoren entwickelt werden, die der höheren Luminosität und der damit verbundenen höheren Strahlenbelastung standhalten können. Im Rahmen der CMS-Tracker-Kollaboration wurden Messungen durchgeführt, um das beste Material für Siliziumstreifensensoren für den zukünftigen Spurdetektor am CMS zu ermitteln. Es wurden Sensoren sowohl mit Protonen als auch mit Neutronen bestrahlt, um wichtige Sensoreigenschaften wie Ladungssammlung, Signal-zu-Rauschen-Verhältnis, elektrische Größen und Annealingverhalten zu untersuchen. Im Vortrag werden die Messergebnisse von Siliziumstreifensensoren (n-in-p und p-in-n) aus den Materialien Float-Zone und Magnetic-Czochralski verschiedener Dicken (200µm-320µm) vorgestellt und diskutiert.