Hannover 2013 – wissenschaftliches Programm
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Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik
Q 29: Photonics III
Q 29.7: Vortrag
Dienstag, 19. März 2013, 15:30–15:45, F 342
Seltenerd-dotierte In2O3- und InYO3-Schichten auf Sesquioxid-Substraten — •Sven H. Waeselmann1, Sebastian Heinrich1, Christian Kränkel1,2 und Günter Huber1,2 — 1Institut für Laser-Physik, Universität Hamburg — 2The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging
Mit dem Pulsed Laser Deposition-Verfahren (PLD) wurden In2O3-Schichten auf verschiedenen Sesquioxiden gewachsen. Das PLD-Verfahren eignet sich aufgrund der hohen Energie der Plasmabestandteile zur Herstellung von dünnen, einkristallinen Schichten. In-Situ Untersuchungen mit Elektronenbeugung sowie ex-Situ Untersuchungen mit Röntgenbeugung und Rasterkraftmikroskopie zeigen epitaktisches Wachstum von Seltenerd-dotiertem In2O3 auf Lu2O3 bzw. Sc2O3. Spektroskopische Untersuchungen haben gezeigt, dass die Emissionsspektren von Nd-dotierten In2O3-Schichten denen von entsprechend dotierten Sesquioxid-Einkristallen ähneln. Durch die Beimischung von Y2O3 gelang es, gitterangepasste InYO3-Schichten auf Lu2O3 zu wachsen, wobei sich durch den reduzierten Gitterfehler die Schichtqualität deutlich verbessert. Aufgrund des vergleichweise hohen Brechungsindexes von kristallinem In2O3 (ca. 3 bei 400 nm bzw. 2,5 bei 633 nm) sind photonische Anwendungen z.B. als Wellenleiter und als kristalline, dielektrische Spiegel interessant.