Wuppertal 2015 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe
T: Fachverband Teilchenphysik
T 63: Halbleiter: Strahlenhärte
T 63.4: Vortrag
Mittwoch, 11. März 2015, 17:30–17:45, G.10.05 (HS 7)
Untersuchung der Depletionsspannung bestrahlter und unbestrahlter planarer n+-in-n Silizium-ATLAS-Pixelsensoren — Mona Abt1, Silke Altenheiner1, Karola Dette2, Andreas Gisen1, Claus Gössling1, Jara Helmig1, Jennifer Jentzsch2, Reiner Klingenberg1, Kevin Kröninger1, Arno Kompatscher3 und •Felix Wizemann1 — 1TU Dortmund — 2CERN — 3CiS
Strahlenbelastungen führen zu Schäden am Kristallgitter von Siliziumsensoren.
Diese Schädigung verursacht stark erhöhte Depletionsspannungen.
Durch gezieltes Erhitzen geschädigter Sensoren kann die Depletionsspannung reduziert werden.
Die Depletionsspannung eines Sensors kann bestimmt werden, indem die Kapazität in Abhängigkeit von der Spannung aufgenommen wird.
Solche Messungen wurden an planaren n+-in-n Sensoren, wie sie im ATLAS-Experiment am CERN Verwendung finden, durchgeführt.
Hierzu wurde ein Messaufbau entwickelt und getestet.
Es wurden bestrahle und unbestrahlte Sensoren untersucht.