Wuppertal 2015 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 63: Halbleiter: Strahlenhärte
T 63.5: Vortrag
Mittwoch, 11. März 2015, 17:45–18:00, G.10.05 (HS 7)
Annealing bestrahlter planarer n+-in-n ATLAS Pixel Siliziumsensoren — Mona Abt1, Silke Altenheiner1, Karola Dette2, •Andreas Gisen1, Claus Gößling1, Jara Helmig1, Jennifer Jentzsch2, Reiner Klingenberg1, Kevin Kröninger1, Arno Kompatscher3 und Felix Wizemann1 — 1TU Dortmund — 2CERN — 3CiS
Als Annealing wird das Beheben von Kristallschäden bezeichnet. Durch Erhitzen auf bestimmte Temperaturen über kurze Zeiträume kann dieser Effekt zur gezielten Verbesserung der Eigenschaften eines Siliziumsensors genutzt werden, der zum Beispiel durch nicht ionisierende Energiedeposition geschädigt wurde.
An einem planaren n+-in-n-Siliziumsensor, wie er im Pixeldetektor des ATLAS-Experiments am LHC Verwendung findet, wurden die durch wiederholt durchgeführtes Annealing bewirkten Änderungen von verschiedenen Eigenschaften des Sensors untersucht. Der verwendete Sensor wurde mit einer Fluenz von 2 · 1016 neq/cm2 bestrahlt, was der erwarteten Strahlenbelastung der innersten ATLAS-Detektorlage im HL-LHC entspricht.
Besonders betrachtet wurden Veränderungen der Strom-Spannungs-Kurven und des Ladungssammlungsverhaltens sowie die Auswirkungen eines speziellen Pixeldesigns, welches zu Testzwecken in einem Teilbereich dieses Sensors vorhanden ist.