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T: Fachverband Teilchenphysik

T 86: Halbleiter: Produktion

T 86.8: Talk

Thursday, March 12, 2015, 18:35–18:50, G.10.03 (HS 8)

Teststand zur Charakterisierung von Silizium Photomultipliern — •Sascha Krause, Stefan Tapprogge, Liu Yong und Phi Chau — Johannes-Gutenberg Universität Mainz, Institut für Physik & PRISMA Detector Lab

Für die Anwendung von SiPM ist es auf Grund der unterschiedlichen Randbedingungen ihres Einsatzes wichtig, deren genaue Charakteristiken zu kennen. Abhängig von Betriebsspannung und Temperatur variiert sowohl der Gain, die Darkrate, als auch die Wahrscheinlichkeiten für Crosstalk und Afterpulse der Sensoren. Die Photon-Detektions-Effizienz (PDE) beschreibt die wohl wichtigste Eigenschaft eines SiPM und ist im Wesentlichen von der Wellenlänge der zu detektierenden Photonen abhängig. Zur genauen Untersuchung dieser Eigenschaften und zur Bestimmung der Uniformität von unterschiedlichen SiPM wurden mehrere Messaufbauten entworfen und in Betrieb genommen, welche in diesem Vortrag inklusive einiger Resultate vorgestellt werden.