Hamburg 2016 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 53: Halbleiterdetektoren III (Strahlenhärte)
T 53.6: Vortrag
Dienstag, 1. März 2016, 18:00–18:15, VMP8 HS
Messungen des Leckstroms zur Bestimmung der effektiven Bandlücke und Schädigungskonstante stark bestrahlter Siliziumsensoren — •Moritz Wiehe1, Tony Affolder2, Gianluigi Casse2, Paul Dervan2, Susanne Kühn1, Riccardo Mori1, Ulrich Parzefall1 und Sven Wonsak2 — 1Albert-Ludwigs-Universität Freiburg — 2University of Liverpool
Der Leckstrom bestrahlter Siliziumsensoren führt zur Selbsterwärmung und verschlechtert das Signal-zu-Rausch-Verhältnis eines Detektors. Daher ist eine genaue Vorhersage der im Experiment zu erwartenden Höhe des Leckstroms für die Planung und den Betrieb eines Detektors erforderlich. Die Abhängigkeit des Leckstroms von der Sensortemperatur und der Bestrahlungsdosis wird parametrisiert durch die effektive Bandlücke Eg,eff und die Schädigungskonstante, die sogenannte current related damage rate α. Im Vortrag werden Messungen zur Bestimmung dieser Parameter in Abhängigkeit der Bestrahlungsdosis vorgestellt. Es wurden Messungen des Leckstroms unter Variation der Biasspannung bei Sensortemperaturen von −32∘C, −27∘C und −23∘C durchgeführt. Die oben genannten Parameter wurden so für 18 verschiedene n-in-p Siliziumstreifensensoren der Firmen Hamamatsu Photonics und Micron Semiconductor Ltd, welche mit einer Dosis von 2· 1014 bis 2· 1016 neq/cm2 bestrahlt wurden, bestimmt.