Hamburg 2016 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 96: Halbleiterdetektoren V (DEPFET)
T 96.6: Vortrag
Donnerstag, 3. März 2016, 18:00–18:15, VMP8 HS
Charakterisierung von DEPFET-Teststrukturen der Pilotserie für den Belle II-Pixeldetektor — Jochen Dingfelder, Leonard Germic, Tomasz Hemperek, Cedric Hönig, Hans Krüger, Florian Lütticke, Carlos Marinas, •Botho Paschen und Norbert Wermes für die Belle II Kollaboration — Universität Bonn
Die derzeit stattfindende Aufrüstung der B-Fabrik am KEK in Japan wird die Luminosität am Belle-Experiment um einen Faktor 40 auf 8·1035 cm−2 s−1 erhöhen. Aufgrund der erwarteten höheren Datenrate ist ein Neudesign des Vertexdetektors notwendig. Zusätzlich zu einem vierlagigen Streifendetektor wird ein neuer Pixeldetektor bestehend aus zwei Lagen von Siliziumsensoren am nächsten am Interaktionspunkt eingebaut werden. Der Pixelsensor besteht aus Feldeffekttransistoren mit verarmtem p-Kanal (DEPFET). Seit 2015 ist eine Pilotserie (PXD9) der Belle II-Pixelmatrizen mit einer Pixelfläche von 55×50 µ m2 und einer Dicke von 75 µ m verfügbar. Für die Signalauslese und -verarbeitung im Experiment werden anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs) entwickelt und eine kleine PXD9-Matrix mit 80x32 Pixeln wurde erfolgreich in einem Gesamtsystem mit den aktuellen ASIC-Prototypen getestet. Wichtige Parameter für das Verhalten sind die Spannungen zwischen den verschiedenen Siliziumimplantaten des DEPFET-Sensors und die optimalen Einstellungen müssen experimentell ermittelt werden. Die aktuellen Ergebnisse von Messungen zur Sensor- und Systemcharakterisierung des Testsystems mit Elektronen und Photonen aus radioaktiven Quellen und am Teststrahl des Deutschen Elektronen Synchrotron (DESY) werden präsentiert.