Würzburg 2018 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 41: Halbleiterdetektoren / Strahlenhärte I
T 41.4: Vortrag
Dienstag, 20. März 2018, 17:15–17:30, Z6 - SR 2.010
Annealingverhalten von bestrahlten p-Typ Streifendetektoren — •Leena Diehl, Riccardo Mori, Ines Messmer, Marc Hauser, Ulrich Parzefall und Karl Jakobs — Universität Freiburg
Hochenergetische Teilchen verursachen Schäden in Siliziumdetektoren, was zu Defektbildung und dadurch zu einer steigenden effektiven Dotierungskonzentration in p-Typ Detektoren führt. Dies resultiert einerseits in schlechterem Ladungstransport und Ladungssammlung und andererseits in einer steigenden Verarmungsspannung und einem größerem Leckstrom. Die entstandenen Gitterdefekte sind beweglich, wobei die Beweglichkeit stark von der Temperatur abhängig ist.
In diesem Vortrag werden Langzeitstudien zu verschiedenen Schadensparametern in Abhängigkeit der Ausheilungszeit bei Raumtemperatur und 60∘ C in p-Typ Streifendetektoren, die mit bis zu 3e14 neq/cm2 bestrahlt wurden, präsentiert. Die Messungen beinhalten das Verhalten der Ladungssammlung, des Leckstrom und der effektiven Dotierungskonzentration sowie den Vergleich der Parameter bei den unterschiedlichen Temperaturen. Insbesondere liegt der Fokus auf der Suche nach Erklärungen zu stark abweichenden Werten von vorherig bekannten Werten in ähnlichen Sensoren.