Bonn 2020 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 72: Semiconductor detectors
T 72.5: Vortrag
Donnerstag, 2. April 2020, 17:30–17:45, H-HS IX
Effekte von Trapping auf die gemessenen Signale von aufeinander folgenden Laserpulsen in bestrahlten Siliziumsensoren — •Leena Diehl1, Riccardo Mori1, Marc Hauser1, Karl Jakobs1, Gregor Kramberger2, Ulrich Parzefall1 und Liv Wiik1 — 1Universtität Freiburg, Germany — 2Jozef Stefane Institute, Ljubljana, Slovenia
Während Untersuchungen zur Signalzusammensetzung in bestrahlten und annealten Silizium-Streifensensoren, die Ladungsvervielfachung zeigten, wurde beobachtet, dass zuvor kreierte freie Ladungsträger Auswirkungen auf den Sensor haben. Es wurde daraus gefolgert, dass die erzeugten freien Ladungsträger die vorhandene elektrische Feldverteilung verändern.
Der Einfluss von aufeinander folgenden Laserpulse mit bis zu 20µs Abstand wurde daraufhin mithilfe von Edge- und Top- Transient Current Technique untersucht. Dabei wurde eine signifikante Abnahme der gemessenen Ladung beobachtet, ebenso wie Veränderungen in der Form der Signale. Abnahme und Veränderungen zeigten verschiedene Abhängigkeiten, unter anderem von der Laserintensität, des zeitlichen Abstands der Laserpulse und der Messtemperatur.
Die Ergebnisse zeigen, dass die Trappingprozesse das elektrische Feld verändern. Dieses Phänomen ist als Polarisationseffekt bekannt und wurde in anderen Materialien oder in Silizium bei sehr niedrigen Temperaturen bereits beobachtet. In dieser Arbeit werden die Auswirkungen dieses Effekts auf die gemessenen Signale bei Betriebstemperaturen gezeigt.