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DS: Dünne Schichten

DS 1: BN I

DS 1.2: Talk

Monday, March 17, 1997, 10:30–10:45, PC 7

Ein einfaches Modell für spannungsinduziertes c-BN-Schichtwachstum in ionenunterstützten Abscheideverfahren — •Thomas Klotzbücher und Ernst Wolfgang Kreutz — Lehrstuhl für Lasertechnik, RWTH Aachen, Steinbachstr aße 15, D-52074 Aachen

Die Synthese der kubischen Phase von Bornitrid (BN) in PVD- und CVD-Verfahren erfordert Ionenbeschuß der aufwachsenden Schicht. Die sich typischerweise ausbildende Schichtabfolge (a-BN, darüber texturiertes h-BN mit einer c-Achsenanordnung parallel zur Substratoberfläche, darüber c-BN), die hohen kompressiven Schichtspannungen sowie ein Skalierungsverhalten des c-BN-Gehalts in den Schichten mit dem pro Ion übertragenen Impuls, deuten auf ein spannungsinduziertes c-BN-Wachstum hin. Es wird ein Modell für spannungsinduziertes c-BN-Wachstum vorg estellt, das sowohl im Einklang mit der für indirektes Ionenbombardement beobachteten Domänengrenze (h-BN/c-BN) steht, als auch das Skalierungsverhalten mit dem pro Ion übertragenen Impuls erklärt.