 |
Mo, 09:30–10:00 |
PC 7 |
DS I: HV I |
|
|
|
Mo, 14:30–15:00 |
PC 7 |
DS II: HV II |
|
|
|
Di, 09:30–10:00 |
PC 7 |
DS III: HV III |
|
|
|
Di, 14:30–15:00 |
PC 7 |
DS IV: HV IV |
|
|
|
Do, 12:45–13:15 |
PC 7 |
DS V: HV V |
|
|
|
Do, 14:30–15:00 |
PC 7 |
DS VI: HV VI |
|
|
|
Fr, 09:30–10:00 |
PC 7 |
DS VII: HV VII |
|
|
|
Mi, 15:00–15:30 |
PC 7 |
DS VIII: HV VIII |
|
|
|
Mo, 10:15–11:15 |
PC 7 |
DS 1: BN I |
|
|
|
Mo, 10:15–11:15 |
H 55 |
DS 2: YSZ |
|
|
|
Mo, 10:15–11:15 |
ZB |
DS 3: Sonstiges I |
|
|
|
Mo, 11:45–12:45 |
PC 7 |
DS 4: BN II |
|
|
|
Mo, 11:45–13:00 |
H 55 |
DS 5: Tiefenaufgelöste Mößbauer–Spektroskopie |
|
|
|
Mo, 11:45–12:30 |
ZB |
DS 6: Organische Schichten II |
|
|
|
Mo, 15:15–16:15 |
PC 7 |
DS 7: Diamant I |
|
|
|
Mo, 15:15–16:15 |
H 55 |
DS 8: Charakterisierungsverfahren I |
|
|
|
Mo, 15:15–16:45 |
ZB |
DS 9: Mikrosonden |
|
|
|
Mo, 16:30–17:30 |
PC 7 |
DS 10: Diamant II |
|
|
|
Mo, 16:30–17:15 |
H 55 |
DS 11: Charakterisierungsverfahren II |
|
|
|
Di, 10:15–11:15 |
PC 7 |
DS 12: Harte Schichten I |
|
|
|
Di, 10:15–11:30 |
H 55 |
DS 13: Mechanische und elektrische Eigenschaften |
|
|
|
Di, 10:15–11:15 |
ZB |
DS 14: Solarzellen und Displaytechnologie |
|
|
|
Di, 11:45–13:00 |
PC 7 |
DS 15: Harte Schichten II |
|
|
|
Di, 11:45–13:15 |
H 55 |
DS 16: Multilayer |
|
|
|
Di, 11:45–13:15 |
ZB |
DS 17: Optische Eigenschaften I |
|
|
|
Di, 15:15–16:15 |
PC 7 |
DS 18: Harte Schichten III |
|
|
|
Di, 15:15–16:00 |
H 55 |
DS 19: Nitrieren von Werkstoffen |
|
|
|
Di, 15:15–16:00 |
ZB |
DS 20: Laserdeposition |
|
|
|
Do, 09:30–10:45 |
H 55 |
DS 21: SiC (Ionenimplantation) |
|
|
|
Do, 10:15–11:15 |
PC 7 |
DS 22: Magnetische Schichten I |
|
|
|
Do, 10:15–11:30 |
ZB |
DS 23: Sonstiges II |
|
|
|
Do, 11:00–12:30 |
H 55 |
DS 24: Ionenimplantation I |
|
|
|
Do, 11:45–12:30 |
PC 7 |
DS 25: Magnetische Schichten II |
|
|
|
Do, 15:15–16:45 |
PC 7 |
DS 26: Neue Charakterisierungsverfahren |
|
|
|
Do, 15:15–16:30 |
ZB |
DS 27: Optische Eigenschaften II |
|
|
|
Fr, 10:15–11:30 |
PC 7 |
DS 28: Ionenimplantation II |
|
|
|
Fr, 10:15–11:15 |
H 55 |
DS 29: Metallische Schichten I |
|
|
|
Fr, 10:15–11:30 |
ZB |
DS 30: Molekularstrahlepitaxie |
|
|
|
Fr, 11:45–13:15 |
PC 7 |
DS 31: Plasma– und Ionentechniken |
|
|
|
Fr, 11:45–13:15 |
H 55 |
DS 32: Metallische Schichten II |
|
|
|
Di, 16:15–17:45 |
Aula |
DS 33: Postersitzung |
|
|
