Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

Donnerstag, 20. März 1997, 09:30–10:45, H 55

	09:30	DS 21.1	Ionenstrahlinduzierte epitaktische Rekristallisation (IBIEC) von vergrabenen 3C-SiC Schichten in Silizium — •K. Volz, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
	09:45	DS 21.2	Untersuchungen zur ionenstrahlinduzierten Amorphisierung von α-SiC(6H) mittels IBA, XAS und Raman — •J. Conrad, W. Bolse, T. Rödle, S. Pietzonka, M. Borowski und A.-M. Flank
	10:00	DS 21.3	Temperaturabhängigkeit der SiC-Bildung während der Hochdosisimplantation von Kohlenstoff-Ionen in Silizium — •J.K.N. Lindner und B. Stritzker
	10:15	DS 21.4	Mechanische Spannungen und plastischer Fluß in ionenbestrahltem SiC und SiO2 — •F. Harbsmeier, J. Conrad und W. Bolse
	10:30	DS 21.5	Kristallgitter-Einbau implantierter Ionen in 6H-SiC — •H. Wirth, M. Voelskow, D. Panknin und W. Skorupa