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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

DS 21.1: Talk

Thursday, March 20, 1997, 09:30–09:45, H 55

Ionenstrahlinduzierte epitaktische Rekristallisation (IBIEC) von vergrabenen 3C-SiC Schichten in Silizium — •K. Volz, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Institut für Physik, Universität Augsburg, D-86135 Augsburg

Epitaktische, vergrabene 3C-SiC Schichten wurden in (100) und (111) Si durch Ionenstrahlsynthese hergestellt und durch Bestrahlung mit 2 MeV Si Ionen amorphisiert. Die nach Ausheilung der amorphen Si-Bereiche resultierenden c-Si/a-SiC/c-Si Schichtsysteme wurden bei 320 bzw. 600 ^∘C bei konstanten Stromdichten (0.25 - 1.0 µA/cm²) mit 800 keV Si-Ionen bestrahlt, um die amorphen SiC Schichten zu rekristallisieren. Es wird gezeigt, daß der IBIEC-Prozeß für (111) Material bei geeignet gewählten Bestrahlungsparametern zur Rekristallisation führt und sich heteroepitaktische 3C-SiC Schichten bilden. Das IBIEC-Verfahren führt bei wesentlich niedrigeren Temperaturen zur Rekristallisation, als bei thermischen Ausheilen notwendig. In Abhängigkeit von Substratorientierung, Dosis, Stromdichte und Temperatur können neben ionenstrahlinduzierter epitaktischer Rekristallisation auch Polynukleation und lagenweise Amorphisierung (IBIIA) auftreten, was in komplizierten Mehrschichtsystemen resultieren kann. Die Abhängigkeiten werden anhand von TEM Untersuchungen dargestellt.